相关试题
换一换
P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。()
A.错误 B.正确
答案
结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（）
答案
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
答案
N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关
答案
由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（）
A.栅极/栅极 B.源极/栅极 C.漏极/栅极 D.源极.源极
答案
中国大学MOOC: p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
答案
N沟道结型场效应管导电沟道中的导电载流子为
答案
CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成，若并联互补则构成传输门。（4062）（）
A.反相器 B.放大器 C.加法器 D.乘法器
答案
N沟道的绝缘栅型场效应管用（）表示。
A.PMOS B.MOS C.NMOS D.CMOS
答案
双极型晶体管导电的载流子是 _________ ； N 沟道场效应管导电的载流子是 __________;P 沟道导电的载流子是 _______ 。 A 电子 B 空穴 C 电子和空穴
答案
热门试题
选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体（）
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
场效应管U加上正向电压，在（）与P型衬底间形成一个电场，该电场使P型衬底表面形成N型导电沟道。
P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。
N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（）
P沟道结型场效应管的夹断电压Up为
P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（）
N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内（）
P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。()
中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）";
N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（）
N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____（）
下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（）
简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
简述背沟道刻蚀型结构的优缺点
P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
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