N沟道增强型绝缘栅型场效晶体管只有加一定的（）,才能形成导电沟道。  

根据导电方式的不同，场效晶体管可分为N沟道和P沟道两类。（） N沟道场效晶体管的漏极电流由（）的漂移运动形成。   IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管。 IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管（） 绝缘栅双极型晶体管简称为（） 绝缘栅双极晶体管属于半控型器件 绝缘栅双极型晶体管具有（）的优点 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（） 绝缘栅双极型晶体管具有的优点（） 绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（） 绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT是的复合管（） 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小 绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。 绝缘栅双级型晶体管的驱动方式是（） 要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。 场效晶体管的输入电阻比双极型晶体管的输入电阻( ) 绝缘栅型场效应晶体管可分为（） 绝缘栅双极型晶体管属于电流控制器件。 中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）";