根据导电方式的不同，场效晶体管可分为N沟道和P沟道两类。（）

结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（） P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。() 场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（） Mos管分为__和P沟道两种 N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 晶体管按导电类型可分（）。 简述薄膜晶体管沟道上面的金属层M3有两种作用 在场效晶体管中,参与导电的载流子( ) 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 场效晶体管是一种（　　） 场效晶体管放大电路根据输入与输出的公共端不同，分为（）、（）和（）三种放大电路。   焊接场效晶体管时应先焊（） 晶体管按导电类型可分为（）。 场效晶体管的输入电阻比双极型晶体管的输入电阻( ) 由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） 根据场效晶体管的工作情况可将输出特性区域分为（） 根据场效晶体管的工作状态，可将输出特性曲线分为（）、（）和（）三个区域。