在场效晶体管中,参与导电的载流子( )

根据场效晶体管的工作情况可将输出特性区域分为（） 场效晶体管在放大电路中，其漏极电流iD受电压uGS的控制（） 晶体管按导电类型可分（）。 三极管的负载电流须流经PN结,有两种极性的载流子参与导电过程,所以三极管也称为双极型晶体管（） N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（） 场效应管参与导电的载流子是（）。 双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流（） 晶体管按导电类型可分为（）。 场效晶体管的转移特性是在VDS为固定值时的关系曲线（） N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） 三极管正常工作时，其输入电阻大，而场效晶体管输入电阻小（） 单结晶体管具有单向导电特性 单结晶体管具有单向导电特性（） 高频开关整流器中的功率转换电路常使用功率场控晶体管和绝缘门极晶体管（） 单结晶体管具有单向导电性。 单结晶体管具有单向导电性（） 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）. 场效晶体管的PDSM=1W，工作时漏源电压VDS=10V，漏极电流ID不可超过（）