当晶体管的发射节正偏时，晶体管一定工作在放大区（）

当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（） 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（） 在放大电路中，晶体管通常工作在放大区（） 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（）。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结电压应为（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏。() 当放大电路的晶体管不工作在线性放大区时，此时的动态性能分析应采用 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（） 晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应( )。 晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（）