当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（）

晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结电压应为（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应( )。 晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（） 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（） 晶体管能够实现放大的外部条件是发射结和集电结都反偏 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏。() 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏。（） 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（）