晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。

当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（） 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态（） 工作在放大状态的晶体管，应满足发射结反偏，集电结正偏（） 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏。（） 晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件（） 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）