绝缘栅型场效应晶体管由于其电阻太大，极易被感应电荷击穿，因而不能用万用表进行检测。
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绝缘栅型场效应晶体管由于其电阻太大，极易被感应电荷击穿，因而不能用万用表进行检测。
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绝缘栅型场效应晶体管可分为（）
A.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道增强型 B.N沟道增强型、P沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 D.N沟道增强型、P沟道增强型
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绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（）
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绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（）
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绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
A.P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B.增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
A.106Ω以上 B.108Ω以上 C.104Ω以上 D.1010Ω以上
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A.106Ω以上 B.108Ω以上 C.104Ω以上 D.1010Ω以上
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结型场效应晶体管可分为（）。
A.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 B.N沟道增强型、P沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 D.N沟道增强型、P沟道增强型
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门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
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双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（）
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
电力场效应晶体管属于双极型器件。
场效应晶体管的控制方式是()。
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化（）
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电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（）
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