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定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低?高选择比意味着什么?
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定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低?高选择比意味着什么?
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主观题
定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低?高选择比意味着什么?
答案
主观题
干法刻蚀有高的还是低的选择比?
答案
主观题
干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?
答案
主观题
干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么
答案
判断题
中国大学MOOC: 高选择比意味着只去除想要刻蚀掉的膜层材料,所以选择比要求越高越好。
答案
主观题
根据原理分类,干法刻蚀分成几种?各有什么特点?
答案
主观题
简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
答案
主观题
简述干法刻蚀的物理作用和化学作用
答案
单选题
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A.刻蚀速率 B.选择性 C.各向同性 D.各向异性
答案
主观题
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
答案
热门试题
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中国大学MOOC: 含硅薄膜的干法刻蚀工作气体主要是()。
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率?
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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
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以下比标签选择器优先级高的选择器有()。
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STI隔离技术中,为什么采用干法离子刻蚀形成槽?
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为避免墩粗时墩弯,坯料的高径比宜选择()
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我们不要选择比自己高的目标,因为那不是我们的份内事。
在进行灯具平面的选择布置时应考虑满足距高比的要求。()
我们不要选择比自己高的目标,因为那不是我们的份内事。
在进行灯具平面的选择布置时应考虑满足距高比的要求()
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增压系统的选择原则是:低增压时选择脉冲系统,高增压时选用()。
-3℃比1℃低( )℃,15℃比5℃高( )℃。
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