解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？

负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？ 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备（） 干法刻蚀有高的还是低的选择比？ 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉（） 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。 中国大学MOOC: 在集成电路制造过程的图形制备的最后一道工序是光刻胶去除，这一过程叫去胶，常用的去胶方法有（）。 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶（） 解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？ 同一个人戴的隐形眼镜度数比框架眼镜度数高还是低（） 遮阳系数Sc高好，还是低好？ －3℃比1℃低（ ）℃，15℃比5℃高（ ）℃。