晶体管的（）随着电压升高而相应增大。

温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。 随温度升高，晶体管的β值（） 温度升高,晶体管输入特性曲线 当单结晶体管发射极电压低于（ ）电压，单结晶体管截止。 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。（） 在晶体管AGC电路中，控制电压一般可控制晶体管的（）。 温度升高,晶体管输出特性曲线 温度升高，晶体管输入特性曲线右移。() 当单结晶体管的发射极电压Ue升高到时,就会导通（） 当单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，单结晶体管关断（） 为了提高晶体管的发射能力，防止由于结温的升高导致晶体管烧毁，占空比越高越好。（6002）（） 单结晶体管二端加上电压增大时，流过器件的电流反而减小（） 检修时，如使晶体管的基极、集电极短路（即基极—发射极间加上异常电压），则会使晶体管因（）而损坏。 晶体管调节器上的大功率管断路后，发电机输出电压将升高。 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（　　）。 温度升高，晶体管输出特性曲线上移。() 硅晶体管的死区电压约为V（） 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。 晶体管逆变器在工作中损坏原因，多数是由于晶体管被较高电压击穿的缘故（）