随温度升高，晶体管的β值（）

晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（） 晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将() 当温度升高时，晶体管的参数和电流应按如下变化（） 晶体管温度超出其结温则晶体管功能失效（） 只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度变化。( ) 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（????? ）。 温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。() 功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升茼时，晶体管的β、、的变化情况为（） 在使用晶体管时要注意温度的影响，温度升高了，UBR(CEO)和PCM都要降低使用。() 在晶体三极管的主要特性参数中,集电极最大耗散功率是指当温度升高到晶体管的最高允许温度时,在集电极上所耗散的功率值。（） 为了提高晶体管的发射能力，防止由于结温的升高导致晶体管烧毁，占空比越高越好。（6002）（） 晶体管的（）随着电压升高而相应增大。 晶体管的随着电压升高而相应增大（） 晶体三极管的反向饱和电流随温度升高而()。 晶体三极管的电流放大倍数随温度升高而（）。 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）