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外延层晶格常数大,存在,外延片呈型()
单选题
外延层晶格常数大,存在,外延片呈型()
A. 张应变、凸
B. 张应变、凹
C. 压应变、凹
D. 压应变、凸
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单选题
外延层晶格常数大,存在,外延片呈型()
A.张应变、凸 B.张应变、凹 C.压应变、凹 D.压应变、凸
答案
主观题
什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?
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主观题
外延型投资
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主观题
外延型投资
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答案
判断题
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外延型城市化
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主观题
外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。
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判断题
在生长外延层GaN之前,在衬底上镀上一层AlN薄膜,可有效降低GaN与衬底的晶格失配,提高GaN的结晶质量()
答案
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在真包含关系中,外延大的那个概念叫做()概念,外延小的那个概念叫做()概念。
外延型的经济增长主要依靠( )
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层()
将一个外延大的概念分为若干个外延较小的概念的思维过程,叫做( )
DBR的两种材料晶格要与半导体外延材料相匹配,避免产生失配现象()
中国大学MOOC: 概念的内涵与外延呈_______关系。
灾难恢复比灾难备份的外延要大。
异地高考的外延小于高考移民的外延。
高考移民的外延大于异地高考的外延。
高考移民的外延大于异地高考的外延()
外延生长工艺流程是()。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长
4“衬底生长的W-4外延片,小边在左边()
EWH表示的产品是8XX小功率外延片()
划分后各子项外延之和大于母项外延,就会犯()的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延,就会犯()的逻辑错误。
异地高考的外延要比高考移民的外延小。
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如果A概念的部分外延与B概念的全部外延重合,则A与B的外延间可能是().
“概念的内涵”与“概念的外延”之间的外延关系是( )
外延结晶
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
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