晶体的掺杂浓度分为（）

发射区掺杂浓度 （高？低？） 轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低（） 通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高（） 本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体 晶体管的内部放大条件是：发射区重掺杂，基区轻掺杂且宽度很窄，集电极面积大等。() 在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关，而与掺杂浓度无关 三极管的发射区掺杂浓度最（）。 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率： 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。 为了使晶体管能够有效的起放大作用，其管芯结构总是使发射区掺杂浓度高，基区宽度小，集点结面积比发射结面积小（） 在杂质半导体中多数载流子数目取决于掺杂浓度（） 在掺杂半导体中，少子的浓度则受 的影响很大（） 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加（） 三极管BJT制作时，通常基区掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则很高。() 通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低（） 硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂（） 从三极管制造工艺上看，发射区掺杂浓度( )，用来发射载流子； 中国大学MOOC: 对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为： 导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）