光刻工艺中的曝光和显影工序必须在_（）__光室中进行。

光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。 中国大学MOOC: 在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。 光刻加工曝光中,由光源发出的光束经掩膜在光致抗蚀剂上成像,称为( )曝光。 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？ 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（） 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉（） 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。 固态感光树脂凸版的制版工艺是：曝光→显影→（)→（)。 中国大学MOOC: 光刻工艺中的分辨率是指能精确转移到晶片表面抗蚀剂上图案的最小尺寸。 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。 试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。 试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪三种（） 简述照光工序工艺要求 双重曝光支持前后同时曝光和分开二次曝光（）