最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备（） 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 光刻工艺包括哪些工艺？ 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 简述光刻工艺流程。 简述光刻工艺流程 光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（） 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？ 简述光刻工艺的8个基本步骤 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉（） 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。 光刻工艺中的曝光和显影工序必须在_（）__光室中进行。