在一个电路中测得一个二极管的正向导通压降约为0.7V，则此二极管为（）

二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（） 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（） 硅二极管正向导通，其管压降为()。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管正向导通后，电流迅速上升，管压降也随者上升（） 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 绪二极管导通时的管压降约V（） 二极管正向导通时，二极管相当于（）。 二极管正向导通时，二极管相当于 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（） 二极管在正向导通时，锗管压降为（）左右 在如图所示电路中，设二极管正向导通时的压降为0.7V，则电压Ua为（）V Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V