半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低（） 半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？ 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。 晶体管都是由掺杂半导体做成的 光纤成份是高纯度的（），此外还掺有极少量的掺杂剂（） 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。 晶体管都是由掺杂半导体做成的。（6271）（） 在杂质半导体中多数载流子数目取决于掺杂浓度（） 在掺杂半导体中，少子的浓度则受 的影响很大（） 中国大学MOOC: 在半导体加工工艺中掺杂的目的主要是（）。 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加（） 粒子束注入，离子掺杂可以对材料进行改性 中国大学MOOC: 半导体制造工艺中掺杂的主要目的是（）。 在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关，而与掺杂浓度无关 杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。（） 杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的（） 半导体的三个特性是热敏性、光敏性和掺杂性。（） 纤芯的成分是高纯度的SiO2，掺有极少量掺杂剂的作用是（） 通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低（） 离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。