电力场效应晶体管具有自动关断能力，而且具有高输入阻抗、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达500kHz、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点（）

电力场效应晶体管具有自动关断能力，而且具有高输入阻抗、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达500kHz、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点（） 电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件 场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入（）。 场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入（） 电力场效应晶体管MOSFET适于在条件下工作（） 电力场效应晶体管是理想的电流控制器件。 电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿（） 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。 电力场效应晶体管MOSFET相对而言，更适于在条件下工作（） 电力场效应晶体管栅极绝缘，栅极无电流，所以栅极驱动功率为零。 场效应晶体管的输入电阻可高达（）。 场效应晶体管的输入电阻可高达（）。 场效应晶体管可用于（）。 场效应晶体管与晶体管有何不同？ 场效应晶体管具有稳定性差、噪声低、成本高等特点。 场效应晶体管的控制方式是()。 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（） 功率场效应晶体管一般为()。 结型场效应晶体管可分为（）。