判断题

电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小,但存在二次击穿()

查看答案
该试题由用户808****68提供 查看答案人数:13272 如遇到问题请 联系客服
正确答案
该试题由用户808****68提供 查看答案人数:13273 如遇到问题请联系客服

相关试题

换一换
热门试题
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点? 场效应晶体管的特点是输入阻抗低和极限频率低() 电力场效应晶体管适用于()的设备。 电力场效应晶体管属于双极型器件。 电力场效应晶体管是理想的()控制型器件 电力场效应晶体管MOSFET适于在条件下工作() 电力场效应晶体管是理想的电流控制器件。 电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。 电力场效应晶体管MOSFET相对而言,更适于在条件下工作() 电力场效应晶体管栅极绝缘,栅极无电流,所以栅极驱动功率为零。 场效应晶体管的输入电阻可高达()。 场效应晶体管的输入电阻可高达()。 场效应晶体管可用于()。 场效应晶体管与晶体管有何不同? 场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入()。 场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入() 场效应晶体管的控制方式是()。 功率场效应晶体管特点是栅极的静态内阻高,驱动功耗小,撤除栅极信号能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽() 功率场效应晶体管特点是___________的静态内阻高,驱动功率小,撤除栅极信号后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。 功率场效应晶体管的特点是栅极的静态内阻高,驱动功率小,撤除()后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。
购买搜题卡 会员须知 | 联系客服
会员须知 | 联系客服
关注公众号,回复验证码
享30次免费查看答案
微信扫码关注 立即领取
恭喜获得奖励,快去免费查看答案吧~
去查看答案
全站题库适用,可用于E考试网网站及系列App

    只用于搜题看答案,不支持试卷、题库练习 ,下载APP还可体验拍照搜题和语音搜索

    支付方式

     

     

     
    首次登录享
    免费查看答案20
    微信扫码登录 账号登录 短信登录
    使用微信扫一扫登录
    登录成功
    首次登录已为您完成账号注册,
    可在【个人中心】修改密码或在登录时选择忘记密码
    账号登录默认密码:手机号后六位