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电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小,但存在二次击穿()
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电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小,但存在二次击穿()
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电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小,但存在二次击穿()
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电力场效应晶体管具有自动关断能力,而且具有高输入阻抗、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达500kHz、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点()
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A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
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单选题
电力场效应晶体管MOSFET是()器件。
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判断题
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿()
答案
判断题
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
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场效应晶体管的特点是输入阻抗低和极限频率低()
电力场效应晶体管适用于()的设备。
电力场效应晶体管属于双极型器件。
电力场效应晶体管是理想的()控制型器件
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电力场效应晶体管栅极绝缘,栅极无电流,所以栅极驱动功率为零。
场效应晶体管的输入电阻可高达()。
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场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入()。
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功率场效应晶体管特点是栅极的静态内阻高,驱动功耗小,撤除栅极信号能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽()
功率场效应晶体管特点是___________的静态内阻高,驱动功率小,撤除栅极信号后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。
功率场效应晶体管的特点是栅极的静态内阻高,驱动功率小,撤除()后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。
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