光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A. 红外线辐射
B. X射线照射
C. 加热
D. 紫外光辐射
E. 电子束扫描
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光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A.红外线辐射 B.X射线照射 C.加热 D.紫外光辐射 E.电子束扫描
答案
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
答案
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
答案
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
A.对 B.错
答案
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
答案
通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。
答案
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
A.负胶受显影液的影响比较小 B.正胶受显影液的影响比较小 C.正胶的曝光区将会膨胀变形 D.使用负胶可以得到更高的分辨率 E.负胶的曝光区将会膨胀变形
答案
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
A.DQN B.CA C.ARC D.PMMA
答案
光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
A.树脂 B.感光剂 C.HMDS D.溶剂 E.PMMA
答案
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
答案
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
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对中尺寸通过来调节（）
下摆不通过来调节（）
记者通过来让公众认知。（）
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