例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉（） 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 例举出7种先进封装技术。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。 例举出5种易串味药品。 例举出5种易串味药品 请例举出5种花饰线。 例举出硅片厂中使用的五种通用气体。 例举出8种2至8摄氏度保存的疫苗？ 例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述。