主观题

用于放大时,场效应晶体管工作在特性曲线的( )

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主观题
用于放大时,场效应晶体管工作在特性曲线的( )
答案
单选题
场效应晶体管可用于()。
A.数字电路的开关、大规模集成电路等 B.整流电路、放大电路 C.滤波电路、整流电路 D.小规模集成电路、开关电路
答案
主观题
场效应晶体管与晶体管有何不同?
答案
单选题
电力场效应晶体管适用于()的设备。
A.高速、大容量 B.低速、大容量 C.高速、小容量 D.低速、小容量
答案
单选题
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()
A.漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量 B.漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量 C.基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量 D.漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量
答案
单选题
场效应晶体管的控制方式是()。
A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压 C.输入电压控制输出电流 D.输入电压控制输出电压
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
功率场效应晶体管一般为()。
A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型
答案
单选题
结型场效应晶体管可分为()。
A.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 B.N沟道增强型、P沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 D.N沟道增强型、P沟道增强型
答案
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