对于采取气体扩散工艺的铀浓缩工厂来说,由于空气中的水分与（）作用后形成固体粉末，会堵塞或破坏分离膜。

集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？ 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 铀浓缩气体扩散法的工作介质是（） 铀浓缩工厂职业照射监测中，对于空气监测主要是监测空气中的铀气溶胶浓度和（）放射性活度。 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。 铀浓缩工厂主工艺回路是处用于（）下工作。 中国大学MOOC: 在扩散工艺中，杂质进入半导体后占据正常的晶格格点，主要是沿着空位向里扩散的方法是（）。 铀浓缩工厂的特点有（） 气体离心法铀浓缩中，气体离心机单机浓缩系数在（）左右。 中国大学MOOC: 扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外，还将进 行横向扩散，横向扩散的宽度大约为（）xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。 铀浓缩工厂现场污染因素主要表现为（） 铀浓缩厂职业照射监测的空气监测，主要监测空气中的（） 用气向扩散的方法可以获得浓缩铀（） 利用半导体技术的扩散工艺，将型半导体和型半导体结合在一起，则其交界面便会形成一个PN结（） 气体扩散法生产浓度铀的大型扩散厂每kgSWU约需消耗（）度电能。 浓缩工厂主工艺回路是处用于（）下工作 气体离心法铀浓缩中，离心机的生产能力取决于转筒的（）和（） 浓缩铀和贫化铀的铀丰度界限是多少？