N沟道增强型场效晶体管的开启电压（）  

中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）"; 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 N沟道场效晶体管的漏极电流由（）的漂移运动形成。   由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（） 场效晶体管的输入电阻比双极型晶体管的输入电阻( ) 场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（） 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成，若并联互补则构成传输门。（4062）（） N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） 场效晶体管是一种（　　） N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关 焊接场效晶体管时应先焊（） 中国大学MOOC: p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。 对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在区（） 增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道 当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（） 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数 场效晶体管在放大电路中，其漏极电流iD受电压uGS的控制（）