N沟道增强型场效晶体管正常工作时，应加（）栅源电压。()  

场效晶体管在放大电路中，其漏极电流i_D受栅源电压u_GS的控制。() 中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）"; 增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。 N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（） N沟道场效晶体管的漏极电流由（）的漂移运动形成。   N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____（） 场效晶体管的PDSM=1W，工作时漏源电压VDS=10V，漏极电流ID不可超过（） P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。() P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。() 在场效晶体管的特性中，反映栅源电压对漏极电流的控制能力的是（）   由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（） 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 场效晶体管的输入电阻比双极型晶体管的输入电阻( ) 焊接场效晶体管时应先焊（） 场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在区（） 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成，若并联互补则构成传输门。（4062）（） 三极管正常工作时，其输入电阻大，而场效晶体管输入电阻小（）