在某一开关电源中，功率管导通时管压降为2V，流过的电流为20A，关断时两端承受的电压为300V，开通时间为100ns，关断时间为200ns，开关频率为50kHz，占空比为0.6，试分别计算出开关管的通态损耗与开关损耗。

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 硅二极管导通压降是（）V 锗二极管导通压降是（）V 通常硅管导通时的正向压降约为0.2-0.4V。（） 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 管压降是指二级管导通时的（） 晶体管调节器中晶体管T1是小功率管，用来导通控制信号的（） 开关电源中MOSFET管稳态工作时，栅板控制电流很小（） 通常硅管导通时的正向压降约为（） 一般小功率硅管的管压降可为()V 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 在谐振型开关电源中，由于功率开关管实现了（）或（）切换，因此基本上消除了；同时由于功率开关管的导通电阻非常小，所以（）也非常小。 当三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大．小功率硅管约为( )V，锗管约为( )V。 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。 开关功率管在开通时，会产生损耗。称为（） 在开关式稳压电路中，功率开关管在导通时，电压（）,电流（）;截止时，电压（）,电流（）。(均选填“高”“低”“大”或“小”)   晶闸管导通后的管压降一般为 硅管的导通压降为( )V。