多选题

扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。

A. 埋层
B. 外延
C. PN结
D. 扩散电阻
E. 隔离区

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多选题
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。
A.埋层 B.外延 C.PN结 D.扩散电阻 E.隔离区
答案
主观题
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点?
答案
单选题
集成电路是微电子技术的核心,它是以先进的工艺和具体技术为基础的高科技,没有扩散工艺、平面工艺等的技术突破,集成电路是不可能成功的,第一块集成电路诞生于哪一年()
A.1945年 B.1956年 C.1958年 D.1960年
答案
单选题
集成电路按照所用晶体管结构、电路和工艺的不同,主要分为双极型集成电路、(b)集成电路等()
A.非金属一氧化物一半导体(SSl) B.金属一氧化物一半导体(MOS) C.金属一氧化物一超导体(MLST) D.金属一氧化物一双极体(LIS)
答案
单选题
扩散工艺现在广泛应用于制作()。
A.晶振 B.电容 C.电感 D.PN结
答案
主观题
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
答案
单选题
硅片扩散工艺结束后应抽取()片来检测。
A.5 B.6 C.3 D.4
答案
单选题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()
A.600~750℃ B.900~1050℃ C.1100~1250℃ D.950~1100℃
答案
主观题
描述你对集成电路工艺的认识。
答案
多选题
集成电路按照制造工艺可分为()。
A.半导体集成电路 B.薄膜集成电路 C.数字集成电路 D.厚膜集成电路
答案
热门试题
中国大学MOOC: 扩散工艺中扩散结深的测量可以采用()方法测出。 根据集成电路制造工艺,最容易制作的元件是()。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为() 按照集成电路的制造工艺分类,可以分为() 什么是两步扩散工艺,其两步扩散的目的分别是什么? 在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。 集成运放是利用集成电路工艺制成的高放大倍数的直接耦合放大器。() 列举几种集成电路典型工艺,工艺上常提到0.25,0.18指的是什么? 中国大学MOOC: 热扩散工艺中扩散结深通常采用()和()两种方法进行测量。 双极型集成电路和单极型集成电路,都是集成电路() 集成电路有( )两大类型: 半导体集成电路|数字集成电路|模拟集成电路|薄膜集成电路 CMOS集成电路是MOS集成电路的简称 以下所列集成电路中,属于数字集成电路的是________。 例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的作用。 依据目前集成电路工艺的限制,电阻一般的取值范围为() 大规模集成电路是集成度在()电子元件的集成电路;超大规模集成电路一般指集成度达()电子元件的集成电路。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。 线性集成电路属于()集成电路。 玩具中常用的集成电路包括常用数字逻辑电路、时基集成电路、音乐集成电路、()电路、无线遥控集成电路等。
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