一个二极管的正向压降为 0.7V，当通过的电流为 10mA 时，其功率为（ ）。

一个硅二极管在正向电压U_D=0.6V时，正向电流I_D=10mA。 若 U_D 增大到0.66V (即增加10%),则电流I(    )   锗二极管正向导通压降约为V（） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 硅二极管的正向管压降约为0.7V（） 肖特基二极管的正向压降比普通二极管高。（ ） 当给二极管加正向电压时，有电流通过二极管。称为二极管的（）。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 以下哪种二极管正向压降最小？（ ） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 快恢复二极管的正向导通压降比普通二极管低。（ ） 二极管的正向压降一般为（ ）。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 二极管外加电压VD=0.6V，流过二极管电流为120mA，则二极管的正向直流电阻RD是欧姆（） 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 锗二极管的正向压降通常为（）。