IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。

中国大学MOOC: 电力MOSFET导通的条件是（ ）且（ ）。 IGBT综合了MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点（） 在室温下门极断开时,元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为 由通态到断态，能够维持晶闸管导通的最小阳极电流叫做擎住电流（） 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。 在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。 在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流（） 在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流（） IGBT之间只要施加正向电压且大于开启电压，IGBT就可以导通；只要施加反向电压IGBT就可以关断（） 晶闸管导通后本身的压降约为()V左右，称为通态平均电压。 单向晶闸管通态电压表示管子的正向损耗（） IGBT加反压截至,加正压也截至,加正压时在栅极加正电流,IGBT导通 IGBT在1/2或1/3额定电流以上区段通态电阻具有正温度系数，并联时具有电流自动均衡能力（） 光开关的是两个端口处于导通和非导通状态的插入损耗之差（） 电爆网路的导通和电阻值检查，必须使用专用导通器和爆破电桥，导通器和爆破电桥必须每月检查一次，其工作电流必须小于（） 晶闸管刚由断态进入通态，并且去掉门极信号，仍能维持导通所需的最小的阳极电流称为 IGBT即绝缘栅双极晶体管，是全控型器件（通过控制信号可以控制其导通，又能控制其关断）（） 下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 测量电阻为（）欧姆，说明线路导通。 VVVF逆变器每相开关元件按照以下的原则触发：在上桥臂IGBT导通期间，下桥臂IGBT关断，反之也是这样（）