单选题

决定MOSFET通态损耗的参数是)控制器件()

A. Roa
B. BUbs
C. BUcs
D. UCsT

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电力MOSFET的通态电阻具有()温度系数 控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为()。 温度控制器件的主要作用是对()、()、()等参数进行控制,以满足使用者的需要。常用的温度控制器件有()、()、()、()等。 MOSFET是压控型器件,其门极控制信号是电流() MOSFET的导通电阻非常小,所以导通损耗也非常小。 三极管是____控制器件,场效应管是____控制器件 IGBT的通态压降比MOSFET,特别是在电流较大的区域() 半导体三极管是()控制器件,场效应管是()控制器件。 MOSFET属于单极型器件。? 下列哪些器件属于控制器件() 下列哪项是半控制器件?() 按照驱动电路加在器件控制端和主电路之间信号的性质,电力电子器件分为电压控制器件和电流控制器件。() IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? ) 晶体管属于_______控制器件,场效应晶体管属于_______控制器件 MOSFET为电压型驱动器件() 电力晶体管是__控制器件() 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是() 单向晶闸管通态电压表示管子的正向损耗() 三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件 使器件从断态转入通态的最低电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。()
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