IGBT的通态压降比MOSFET，特别是在电流较大的区域（）

绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（） 电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数 下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 当数据为偏态分布，特别是偏斜程度较大时，选择中位数和众数的代表性较好。（ ） 当数据为偏态分布，特别是偏斜程度较大时，选择中位数和众数的代表性较好。 当数据为偏态分布，特别是偏斜程度较大时，选择中位数和众数的代表性较好。 当数据为偏态分布，特别是偏斜程度较大时，选择中位数和众数的代表性较好（） 股比限制特别是（）行业外资 IGBT加反压截至,加正压也截至,加正压时在栅极加正电流,IGBT导通 决定MOSFET通态损耗的参数是）控制器件（） IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（） 晶闸管导通后本身的压降约为()V左右，称为通态平均电压。 当数据为偏态分布时，特别是当偏斜程度较大时，应选均值作为衡量集中化趋势的统计量。 IGBT的开关速度要高于电力MOSFET。（) IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（） （）切屑发生在加工脆性材料，特别是切削厚度较大时。 IGBT在1/2或1/3额定电流以上区段通态电阻具有正温度系数，并联时具有电流自动均衡能力（） 电力电子器件导通时(通态)阻抗很小，接近于短路，管压降非常大。() IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? ) IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET（）