定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

干法刻蚀有高的还是低的选择比？ 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。 光刻和刻蚀的目的是什么？ 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。 根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？ STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？ 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。 简述普赖斯指数的定义并给出其计算公式。 简述普赖斯指数的定义并给出其计算公式 什么是高炉休风率？写出它的计算公式。 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。 写出STM－N信号速率的计算公式（）。 中国大学MOOC: 以下各项描述中不属于湿法刻蚀的特点的是（）。 可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。 简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。 简述背沟道刻蚀型结构的优缺点 描述各同向性和各向异性刻蚀剖面，以及在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的？