由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

简述干法刻蚀的物理作用和化学作用 中国大学MOOC: 下面选项中（）关于干法刻蚀的说法是错误的。 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？ 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？ 中国大学MOOC: 含硅薄膜的干法刻蚀工作气体主要是（）。 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备（） 在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。