刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

一轴晶光率体的圆切面（）。 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。 低级晶族晶体属于二轴晶，二轴晶光率体是一个三个折射率，包含两个主轴的切面称为（），在二轴晶光率体上有三个这样的切面，分别为NgNm面、NgNp面、NmNp面。在二轴晶光率体上也可以找到两个圆切面，垂直圆切面中心的直线称为光学法线，平行此直线入射的光不产生双折射，包含上述二直线的切面称为光轴面 在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。 干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？ 干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么 离子刻蚀是从工件上去除材料，是一个撞击溅射过程。() 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。 刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。 对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？ 一个铁圆环，在外圆上有一个缺口，加热后（）。 一个铁圆环，在外圆上有一个缺口，加热后（  ）   一个铁圆环，在外圆上有一个缺口，加热后（  ）   一个铁圆环，在外圆上有一个缺口，加热后（）   （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。 中国大学MOOC: 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是111、 100和 （ ）。 二轴晶光率体的光轴面与圆切面为：（）. 以下为中国大陆晶圆代工企业的有（） 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。