小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

三极管加正向偏置时存在一个死区电压，锗管死区电压为（）V，硅管为（）V。 硅二极管的正向管压降约为0.7V（） 硅二极管导通时的正向管压降约V（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二级管的死区电压约为（） 在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为V（） 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（B）V（） 硅管的正向压降为（）V。 通常硅管导通时的正向压降约为0.2-0.4V。（） 在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。 在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V 硅管的死区电压约为1V 硅晶体管的死区电压约为V（） 硅管的正向电压为（）V。 硅二极管正向电压从0.65V增加10%,则其正向电流的增加将()   硅材料二极管的死区电压为0.3V。