IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（）

P-MOSFET的热稳定性优于GTR。 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件（） GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件（） 18、GTO、GTR、SCR、IGBT均属于全控型器件。????? ?????????(?? ) IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? ) 电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（） 绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。 与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点 对GTR，IGBT的过电流保护，不可以采用快速熔断器（） GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（） ____GTR是具有自关断能力的全控器件 下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 GTR和GTO的特点是（） GTO GTR ()的英文缩写是GTR。 GTR的主要特性是()。 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等 GTR属于（）驱动元件 功率场效应管(功率MOSFET)与GTR和GTO相比，其明显的特点是栅极的静态内阻高，（），撤除栅极信号后能自行关断。 电力晶闸管GTR内部电流是由（）