IGBT综合了MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点（）

在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__，单管输出功率最大的是__，应用最为广泛的是__ 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。 IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? ) 功率MOSFET的驱动电路比GTR的简单（） GTO代表,GTR代表（C）,IGBT代表（） P-MOSFET的热稳定性优于GTR。 IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（） IGBT的开关速度要高于电力MOSFET。（) 电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（） GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件（） GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件（） IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET（） 18、GTO、GTR、SCR、IGBT均属于全控型器件。????? ?????????(?? ) 由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度电力MOSFET（） 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等 IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。 IGBT属于电压控制型功率器件，它具有的优点（） MOSFET的优点是（） 对GTR，IGBT的过电流保护，不可以采用快速熔断器（） 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。