在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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常用半导体功率开关器件中，开关速度最快的是MOSFET，最慢的是开关晶体管 。
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在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__，单管输出功率最大的是__，应用最为广泛的是__
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IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET（）
答案
IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（）
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IGBT的开关速度要高于电力MOSFET。（)
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下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题
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与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点
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下面器件中定性分析，开关速度最快的是（）
A.晶闸管 B.功率场效应晶体管 C.绝缘栅双极型晶体管 D.电力晶体管
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由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度电力MOSFET（）
A.低于 B.等于 C.高于 D.无法比较
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同等功率下，下面哪种器件的开关速度最快（）
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