单选题

为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个()或采用无油泵。

A. 液氮冷阱
B. 净化阱
C. 抽气阱
D. 无气泵

查看答案
该试题由用户754****51提供 查看答案人数:37060 如遇到问题请 联系客服
正确答案
该试题由用户754****51提供 查看答案人数:37061 如遇到问题请联系客服

相关试题

换一换
热门试题
什么叫离子注入,它的特点是什么? 早期,研究离子注入技术是用()来进行的。 离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。 半导体芯片生产中,离子注入主要是用来()。 离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。 中国大学MOOC: 离子注入最主要的缺点是()。 为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有(),使离子束偏转后再达到靶室。 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。 什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么? 中国大学MOOC: 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞,而是沿晶格间隙“长驱直入”,进入硅片内部相当深的地方。 离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么? 中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有()。 通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高() 中国大学MOOC: 以下关于离子注入优点的选项中,()的说话是错误的。 什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应? 在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。 中国大学MOOC: 热扩散方法适合做深结,离子注入法适合做浅结。 未经主管机关许可而直接更换防油污染设备或附件,则《国际防止油污证书》失效。() 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
购买搜题卡 会员须知 | 联系客服
会员须知 | 联系客服
关注公众号,回复验证码
享30次免费查看答案
微信扫码关注 立即领取
恭喜获得奖励,快去免费查看答案吧~
去查看答案
全站题库适用,可用于E考试网网站及系列App

    只用于搜题看答案,不支持试卷、题库练习 ,下载APP还可体验拍照搜题和语音搜索

    支付方式

     

     

     
    首次登录享
    免费查看答案20
    微信扫码登录 账号登录 短信登录
    使用微信扫一扫登录
    登录成功
    首次登录已为您完成账号注册,
    可在【个人中心】修改密码或在登录时选择忘记密码
    账号登录默认密码:手机号后六位