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为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个()或采用无油泵。
单选题
为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个()或采用无油泵。
A. 液氮冷阱
B. 净化阱
C. 抽气阱
D. 无气泵
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单选题
为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个()或采用无油泵。
A.液氮冷阱 B.净化阱 C.抽气阱 D.无气泵
答案
主观题
例举离子注入设备的5个主要子系统。
答案
多选题
对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于()。
A.入射离子的能量 B.入射离子的质量 C.入射离子的原子序数 D.靶原子的质量 E.注入离子的总剂量
答案
单选题
离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
A.能量 B.剂量
答案
单选题
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.能量 B.剂量
答案
主观题
离子注入表面改性
答案
主观题
离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。
答案
主观题
离子注入后为什么要进行退火?
答案
主观题
离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?
答案
单选题
离子注入装置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系统等。
A.中子源 B.离子源 C.电子源 D.质子源
答案
热门试题
什么叫离子注入,它的特点是什么?
早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。
半导体芯片生产中,离子注入主要是用来()。
离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。
中国大学MOOC: 离子注入最主要的缺点是()。
为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有(),使离子束偏转后再达到靶室。
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?
中国大学MOOC: 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。
中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞,而是沿晶格间隙“长驱直入”,进入硅片内部相当深的地方。
离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么?
中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有()。
通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高()
中国大学MOOC: 以下关于离子注入优点的选项中,()的说话是错误的。
什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。
中国大学MOOC: 热扩散方法适合做深结,离子注入法适合做浅结。
未经主管机关许可而直接更换防油污染设备或附件,则《国际防止油污证书》失效。()
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
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