什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

中国大学MOOC: 解决沟道效应的方法有 早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？ 中国大学MOOC: 离子注入最主要的缺点是（）。 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。 离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？ 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。 例举离子注入设备的5个主要子系统。 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。 中国大学MOOC: 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 中国大学MOOC: 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。 中国大学MOOC: 下面关于离子注入技术所需要的三大元素描述正确的是（）。 在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。 中国大学MOOC: 热扩散方法适合做深结，离子注入法适合做浅结。 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。