对高能电子束剂量跌落的度量可用剂量梯度G表示，其值大小为（）

比较X（γ），高能电子束的剂量学特征不包括 不属于高能电子束百分深度剂量的是 关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（） 关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（） 下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确？（） 不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（） 不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是 与X（γ）刀相比，不属于高能电子束的剂量学特征的是（） 高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后（）。 高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后 电子束表面剂量随能量增加而 高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（） 电子束斜入射对百分深度剂量的影响是 电子束和X（γ）线在皮肤表面共线相交，会使得X（γ）线照射野一侧出现剂量_______，电子束一侧出现剂量 电子束属于高能束流。 电子束剂量模型中尚未解决的问题不包括 电子束会在铅挡和组织接触的界面处产生电子束的（），使界面处的剂量增加。 电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比（） 描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是 关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？