单选题

当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。

A. 增大基区掺杂浓度
B. 减小基区宽度
C. 减小发射结面积
D. 增大集电区杂质浓度

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单选题
当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。
A.增大基区掺杂浓度 B.减小基区宽度 C.减小发射结面积 D.增大集电区杂质浓度
答案
单选题
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有()、集电结空间电荷限制的效应、()
A.基区电导调制效应,发射区有偏压效应 B.基区有偏压效应,发射区电导调制效应 C.基区电导调制效应,基区有偏压效应 D.发射区有偏压效应,基区有偏压效应
答案
判断题
当晶体管的发射结正偏,集电结正偏,晶体管处于饱和状态。
答案
单选题
当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在()
A.截止区 B.放大区 C.饱和区
答案
单选题
在晶体管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体管()。
A.集电极电压上升 B.集电极电压下降 C.基极电流不变 D.发射极电流不变
答案
主观题
晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的()特性。
答案
判断题
晶体管和场效应管的根本区别在于:晶体管是电流控制型器件,场效应管是电压控制型器件
答案
单选题
当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于()。
A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.放大或饱和区
答案
单选题
晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件()
A.正确 B.错误
答案
判断题
晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件()
答案
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