通常锗管的死区电压约为（）

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 三极管加正向偏置时存在一个死区电压，锗管死区电压为（）V，硅管为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 锗二极管的死区电压为0.1V。 若锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是（） 锗管的死区电压为0.3V，管子导通时所加的正向电压应是（） 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 通常硅管的死区电压约为（） 通常硅管的死区电压为（） 二极管是一个PN结，具有单向导电性，当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零，当电压超过一定数值后，电流增长很快，这个一定数值的正向电压被称为死区电压或开启电压，其大小和材料有关，通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（） 在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 硅管导通电压0.3V,锗管导通电压0.7V 二极(硅)管的死区电压为()。 二极（硅）管的死区电压为（） 硅二级管的死区电压约为（） 硅晶体管的死区电压约为V（）