电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数

下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。 介质绝缘电阻通常具有负的温度系数（） 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。 非晶态合金具有（）电阻、（）温度系数的电学性能 非晶态合金具有（）电阻、（）温度系数的电学性能 IGBT综合了MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点（） 金属具有正的电阻温度系数，所有非金属的电阻都随温度的升高而下降（） 半导体热电阻随温度升高电阻值______，因此半导体热电阻具有______的电阻温度系数。 IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（） 金属材料是具有正的电阻温度系数的物质。（） 冷却液温度传感器的热敏电阻通常具有正温度系数。 冷却液温度传感器的热敏电阻通常具有正温度系数（） 电力电子器件的损耗包括通态损耗与断态损耗。 半导体热敏电阻包括A.正温度系数热敏电阻B.负温度系数热敏电阻C.临界温度系数热敏电阻D.非温度系数热敏电阻（） 电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（） 进气温度传感器是一个具有正温度系数的热敏电阻。 一般金属导体具有正温度系数，当环境温度增加时电阻将增大（） 电阻的温度系数 ＡＴＦ液压油温度传感器主要由一个具有负温度系数的可变电阻构成，其温度升高电阻()。