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IGBT的通态压降比MOSFET,特别是在电流较大的区域()
单选题
IGBT的通态压降比MOSFET,特别是在电流较大的区域()
A. 低
B. 高
C. 相等
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单选题
IGBT的通态压降比MOSFET,特别是在电流较大的区域()
A.低 B.高 C.相等
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当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,平均数的代表性比中位数和众数好。()
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判断题
当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,平均数的代表性比中位数和众数好。( )
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当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,平均数的代表性比中位数和众数好()
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当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,平均数的代表性比中位数和众数好。( )
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决定MOSFET通态损耗的参数是)控制器件()
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