单选题

IGBT的通态压降比MOSFET,特别是在电流较大的区域()

A. 低
B. 高
C. 相等

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绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大() 电力MOSFET的通态电阻具有()温度系数 股比限制特别是()行业外资 当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,选择中位数和众数的代表性较好。 当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,选择中位数和众数的代表性较好。( ) 当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,选择中位数和众数的代表性较好。 当数据为偏态分布,特别是偏斜程度较大时,选择中位数和众数的代表性较好() 下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 决定MOSFET通态损耗的参数是)控制器件() 晶闸管导通后本身的压降约为()V左右,称为通态平均电压。 IGBT加反压截至,加正压也截至,加正压时在栅极加正电流,IGBT导通 IGBT是MOSFET和GTR复合的产物,具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性,下列哪项属于它的特性() 当数据为偏态分布时,特别是当偏斜程度较大时,应选均值作为衡量集中化趋势的统计量。 ()切屑发生在加工脆性材料,特别是切削厚度较大时。 IGBT的开关速度要高于电力MOSFET() IGBT的开关速度要高于电力MOSFET。() 氨基酸含量特别是()含量茎梗比嫩叶多。 IGBT在1/2或1/3额定电流以上区段通态电阻具有正温度系数,并联时具有电流自动均衡能力() 电力电子器件导通时(通态)阻抗很小,接近于短路,管压降非常大。() IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? )
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