对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是（）

N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） N沟道增强型场效晶体管正常工作时，应加（）栅源电压。()   所谓开启电压Usr，就是指开始出现导电沟道时的栅源电压（） P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零（） 中国大学MOOC: 如果MOS晶体管的输出电导gds等于零，说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。 中国大学MOOC: EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 场效晶体管的PDSM=1W，工作时漏源电压VDS=10V，漏极电流ID不可超过（） 转移特性是指栅源电压UGS与漏极电流ID之间的关系（） P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（） 电压源和电流源互换时，应保持电压源的（）与电流源的流出端相对应 额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。() P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。() P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。() P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。() P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。() 在场效晶体管的特性中，反映栅源电压对漏极电流的控制能力的是（）   结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点: ×|√ 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。()