单选题

电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比()

A. 表面剂量高
B. 表面剂量高
C. 表面剂量不变
D. 表面剂量低
E. 表面剂量低

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单选题
电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比()
A.表面剂量高 B.表面剂量高 C.表面剂量不变 D.表面剂量低 E.表面剂量低
答案
单选题
高能电子束的高值等剂量曲线,随深度增加()
A.按几何原理发散 B.不变 C.逐渐展宽 D.逐渐内敛 E.线性变化
答案
单选题
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()
A.大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区 B.大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区 C.大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区 D.剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减 E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
答案
单选题
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()
A.电子束无明显建成效应 B.电子束的皮肤剂量较高 C.电子束的照射范围平坦 D.电子束射程较短 E.电子束容易被散射
答案
单选题
不能用于测量电子束中心轴PDD的是()
A.盖格计数器 B.指形电离室 C.平行板电离室 D.半导体探头 E.胶片
答案
单选题
与电子束焊相比,电子束钎焊加热温度()。
A.更高 B.更低 C.不可控
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()
A.剂量建成区 B.高剂量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是
A.剂量建成区 B.高质量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
单选题
描述电子束百分深度剂量的参数不包括()
A.DS(表面剂量) B.DX(韧致辐射剂量) C.Rr(剂量规定值深度) D.RP(射程) E.Dr(剂量规定值) F.Mn2+ G.Cu2+
答案
单选题
描述电子束百分深度剂量的参数不包括
A.D#$IMG0$#(表面剂量) B.D#$IMG1$#(韧致辐射剂量) C.R#$IMG2$#(剂量规定值深度) D.R#$IMG3$#(射程) E.D#$IMG2$#(剂量规定值)
答案
热门试题
描述电子束百分深度剂量的参数不包括() 不同能量的电子束,有效治疗深度(cm)为电子束能量MeV的 电子束射野衔接的基本规则是使两野的()等剂量曲线在所需深度相交。 不属于高能电子束百分深度剂量的是 电子束斜入射对百分深度剂量的影响是 对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是()。 下同能量的电子束,有效治疗深度(cm)约为电子束能量(MeV)的多少()。 电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是,照射野的执行与电子束射程比值() 关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是() 描述照射对电子束百分深度剂量的影响,正确的是 关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确()? 关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确? 电子束表面剂量随能量增加而 描述照射野对电子束百分深度剂量的影响,正确的是 电子束会在铅挡和组织接触的界面处产生电子束的(),使界面处的剂量增加。 高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是() 如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是() 如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是 如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是() 与X(γ)刀相比,不属于高能电子束的剂量学特征的是()
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