IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET（）

IGBT中由于有双极型晶体管存在，带来了电导调制效应使IGBT导通电阻变小，但也引入了少数载流子储存现象，使IGBT开关速度低于电力MOS管（） 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。 IGBT器件是一种复合器件，它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、安全工作区宽、驱动功率小、耐压高、载流能力大等优点（） 与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点 IGBT综合了MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点（） 在销售低谷期，应收账款和存货增长的速度往往要高于应付账款和应计费用增长的速度。（） GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示 .（按顺序填写并用、隔开） IGBT是将MOSFET与GTR的优点集于一身（） IGBT是一种三端功率半导体器件，其显著的特色是电流容量高，开关速度快。 IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。 对于双极型晶体管来说，功率MOSFET的速度并不够快。() IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（） 异步传输适用于通信双方时钟频率有较大误差的情况，传输速度一般要高于同步传输（） IGBT实际是以GTR为主导，以MOSFET为驱动元件的复合管 如何降低管耗、提高功率、提高开关管的开关速度是电力电子发展的主要方向（） 绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。 IGBT的通态压降比MOSFET，特别是在电流较大的区域（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT，将MOSFET与的优点集于一身，是一种复合型电力半导体器件（） 目前逆变器中广泛使用IGBT开关管,IGBT是型开关管（）