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硅二极管在通过额定电流后,其管子压降为2.6V()

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通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 硅二极管导通时的正向管压降约V() 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的() 硅二极管导通后的管压降是()伏。 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。() 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大() Si二极管的死区电压约为V,Ge二极管的死区电压约为V,Si二极管导通时的管压降约为V,Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。 电力二极管的额定电流指的是 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大() 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大。 在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。 硅二极管的正向导通压降约为 硅二极管导通时的正向压降为V,锗二极管导通时的正向压降为V() 在下列关于二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的() 二极管的管压降:锗二极管正向管压降为() 一般情况下,硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小() 二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V() 硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流() 锗二极管导通压降是()V
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